| 发明名称 |
含矽薄膜的选择性沉积 |
| 摘要 |
本发明中透过化学气相沉积，利用丙矽烷和一含卤素蚀刻剂源(例如氯)来在选定的混合基板区域上选择性地沉积含Si薄膜。掺杂物源可与所述丙矽烷及所述蚀刻剂源混合，以选择性地沉积掺杂的含Si薄膜。所述选择性沉积方法可应用于各种用途，例如应用在半导体制造中。 |
| 申请公布号 |
TWI385714 |
申请公布日期 |
2013.02.11 |
| 申请号 |
TW095103696 |
申请日期 |
2006.02.03 |
| 申请人 |
ＡＳＭ美国股份有限公司 美国 |
发明人 |
波尔 麦特喜爱斯;艾伦奈 权特尔;培特朗 罗奈尔德;托马西尼 皮尔瑞;寇帝 奈尔;布兰特 保罗;义特理诺 乔瑟分;雅各布森 保罗;威克斯 基斯 多伦 |
| 分类号 |
H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
