发明名称 金凸块或金配线之形成方法
摘要 本发明系提供一种金凸块或金配线之形成方法,其系可抑制起因于护层膜膜厚不平均所产生之镀金的段差,且可形成平坦的金皮膜之金凸块或金配线。;本发明系于图案化之晶圆上使用非氰系电解镀金浴或氰系电解镀金浴,进行电解镀金之金凸块或金配线之形成方法,且对晶圆上之电解镀金,系由以0.1A/dm2以下之电流密度进行至少一次电解镀金的步骤1,与以0.3~1.2A/dm2之电流密度进行至少一次电解镀金的步骤2所构成,以使步骤1之合计电镀层厚度为0.1~5 μ m,步骤1与步骤2之合计电镀层厚度为所期望的厚度而于晶圆上进行镀金的金凸块或金配线之形成方法。
申请公布号 TWI385281 申请公布日期 2013.02.11
申请号 TW095134066 申请日期 2006.09.14
申请人 美泰乐科技(日本)股份有限公司 日本 发明人 中村宏
分类号 C25D3/48;H01L21/00 主分类号 C25D3/48
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本