发明名称 |
具有无气泡及减低气泡生长之壁的矽玻璃坩埚 |
摘要 |
一矽玻璃坩埚系包括一稳定、无气泡内层及一不透明外层,两层皆在一柴式(Czochralski(CZ))程序期间展现出减低气泡生长。当使用于CZ程序中时,坩埚壁中观察到甚小容积变化,且坩埚对于融化物位准具有甚小影响。本坩埚基本上系适合具有减低晶性缺陷之缓慢的矽锭拉取。本发明的熔合程序系控制熔合前峰处之动态气体平衡而其中经形成颗粒系融化至密集的经熔合矽石。 |
申请公布号 |
TWI385131 |
申请公布日期 |
2013.02.11 |
申请号 |
TW095131567 |
申请日期 |
2006.08.28 |
申请人 |
赫雷伍斯信越美国股份有限公司 美国;信越石英股份有限公司 日本 |
发明人 |
剑持克彦;摩赛 罗伯特;大滨康夫 |
分类号 |
C03B20/00;C30B15/10 |
主分类号 |
C03B20/00 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |