发明名称 |
物理气相沉积装置及其方法 |
摘要 |
一种物理气相沉积装置及其方法,该物理气相装置包含一真空腔体、一基板、一靶材、一射频感应器、一离子偏折器及一电场产生器。该基板及该靶材分别位于该真空腔体相对两内侧。该射频感应器系设置于该基板及该靶材之间。该离子偏折器系位于该射频感应器及该基板之间。该电场产生器设置于该基板之一侧,且使该基板位于该离子偏折器及电场产生器之间。该物理气相沉积方法系提供一电位于该离子偏折器上,使接近该离子偏折器之一带电离子会受到该电位的斥力作用而偏折通过该离子偏折器并沉积于该基板上。 |
申请公布号 |
TWI385265 |
申请公布日期 |
2013.02.11 |
申请号 |
TW099117208 |
申请日期 |
2010.05.28 |
申请人 |
财团法人金属工业研究发展中心 高雄市楠梓区高楠公路1001号 |
发明人 |
蔡文立 |
分类号 |
C23C14/46;C23C14/22;C23C14/54;H01L21/203 |
主分类号 |
C23C14/46 |
代理机构 |
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代理人 |
陈启舜 高雄市苓雅区中正一路284号12楼 |
主权项 |
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地址 |
高雄市楠梓区高楠公路1001号 |