| 摘要 |
本申请案系关于用于基板之化学机械平坦化(CMP)之抛光垫，及其制造方法及用途。描述于本发明中之该等垫系为抛光规格所特制，其中该等规格包括(但不限于)欲抛光之材料、晶片设计及架构、晶片密度及图案密度、设备平台及所用浆料类型。此等垫可设计成具有长程或短程规则度之特定聚合奈米结构，其允许调整分子层以达到优良热机械特征。更特定言之，该等垫可经设计及制造以便该等垫内同时存在均一及不均一空间分布之化学及物理特性。此外，该等垫可经设计以藉由表面工程操作、经由添加固体润滑剂来调整摩擦系数，且产生具有多个聚合物材料层之低剪力整体垫，其中该等聚合物材料层形成一平行于抛光表面之介面。该等垫亦可在抛光表面具有用于浆料传送于原位产生之经控制之孔隙率、嵌入研磨剂、新颖槽及用于端点侦测之透明区域。 |
