含矽膜的低温沉积方法

摘要

本发明揭示于低沉积温度下形成氮化矽、氧氮化矽、氧化矽、掺碳的氮化矽、掺碳的氧化矽及掺碳的氧氮化物膜之方法。用于此沉积的含矽前驱物为单氯矽烷(MCS)及单氯烷基矽烷类。本发明较佳为经由使用电浆强化原子层沉积法、电浆强化化学气相沉积法及电浆强化循环化学气相沉积法进行。