| 摘要 |
1. Способ получения многослойных затворных структур для полевых транзисторов, включающий:- формирование металлсодержащего слоя (104) непосредственно на первом слое (103) нитрида титана (TiN), покрывающем области полупроводниковой подложки, предназначенные для полевых транзисторов первого и второго типов (фиг.2);- формирование защитного слоя путем нанесения второго TiN-слоя (105) поверх металлсодержащего слоя;- формирование рисунка на втором TiN-слое и металлсодержащем слое для покрытия только первой части первого TiN-слоя (фиг.4), покрывающей область, предназначенную для полевых транзисторов первого типа (100А);- вытравливание второй части первого TiN-слоя, оставшейся открытой при формировании рисунка (фиг.6), в то время как первая часть первого TiN-слоя остается защищенной от травления за счет ее закрытия по меньшей мере частью толщины металлсодержащего слоя, на котором сформирован рисунок; и- формирование третьего TiN-слоя (107), покрывающего область полупроводниковой подложки (фиг.8), предназначенную для полевых транзисторов второго типа (100В).2. Способ по п.1, в котором формирование металлсодержащего слоя включает в себя формирование слоя (104) силицида металла, содержащего по меньшей мере один из металлических элементов, выбираемых из группы, включающей титан (Ti), кобальт (Со) и никель (Ni).3. Способ по п.2, в котором формирование слоя силицида металла включает в себя:- формирование слоистой структуры из тонких чередующихся слоев металла и аморфного кремния и- отжиг этой слоистой структуры при температуре, подходящей для образования слоя силицида металла.4. Способ по п.3, в котором формирование слоя силицида металла включает в себя формир� |
