| 发明名称 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДА |
| 摘要 |
Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего прибора, выполненный на основе нитрида галлия, отличающийся тем, что на излучающую поверхность наносится пористый слой диоксида кремния с коэффициентом преломления ниже 1,47. |
| 申请公布号 |
RU2011132814(A) |
申请公布日期 |
2013.02.10 |
| 申请号 |
RU20110132814 |
申请日期 |
2011.08.04 |
| 申请人 |
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники |
发明人 |
Данилина Тамара Ивановна;Сахаров Юрий Владимирович;Троян Павел Ефимович;Чистоедова Инна Анатольевна |
| 分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
