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Bildsensor, umfassend: ein Substrat, das mit einem Transistor-Schaltkreis ausgestattet ist; mindestens zwei untere Verbindungen (120), die auf dem Substrat ausgebildet sind; eine erste obere Verbindung (140), die elektrisch mit einer ersten unteren Verbindung der mindestens zwei unteren Verbindungen (120) verbunden ist; eine zweite obere Verbindung (145), die elektrisch mit einer zweiten unteren Verbindung der mindestens zwei unteren Verbindungen (120) verbunden ist; eine leitfähige Schicht (150) eines ersten Leitungstyps, die auf mindestens einer Seitenwand-Oberfläche der ersten oberen Verbindung (140) ausgebildet ist; eine leitfähige Schicht (180) eines zweiten Leitungstyps, die auf mindestens einer Seitenwand-Oberfläche der zweiten Verbindung (145) ausgebildet ist; und eine intrinsische Schicht (170), die zwischen den leitfähigen Schichten (150, 180) des ersten und des zweiten Leitungstyps ausgebildet ist, wobei die leitfähige Schicht (150) des ersten Leitungstyps, die intrinsische Schicht (170) und die leitfähige Schicht (180) des zweiten Leitungstyps eine Dioden-Struktur liefern, die... |
