Verfahren zum Entfernen von Lackmaterial nach einer Implantation mit hoher Dosis in einem Halbleiterbauelement

摘要

Verfahren mit: Ausführen eines plasmagestützten Ätzprozesses in einer sauerstoff- und wasserstoffenthaltenden Atmosphäre zum Entfernen von Material einer Lackmaske, die über einem ersten Bauteilgebiet eines Halbleiterbauelements ausgebildet ist, wobei die Lackmaske eine Krustenschicht aufweist, die während eines Implantationsprozesses zum Einbringen einer Implantationssorte in ein zweites Bauteilgebiet, das nicht von der Lackmaske bedeckt wird, gebildet wurde; und Ausführen eines nasschemischen Ätzprozesses nach dem plasmabasierten Ätzprozess, wobei der nasschemische Ätzprozess gestaltet ist, um selektiv die Lackmaske mit der Krustenschicht zu entfernen, wobei die Krustenschicht unterätzt und abgehoben wird.