Verbindungsstruktur und Verfahren zum Herstellen derselben, nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung, elektrische Speicherkarte und elektrisches Gerät

摘要

Verbindungsstruktur mit zwei versetzten Kontaktreihen gleichmäßig beabstandeter Kontakte (2), wobei sich jede Kontaktreihe entlang einer ersten Richtung (3) erstreckt, Leiterbahnen (12), die sich entlang einer die erste Richtung (3) kreuzenden zweiten Richtung (4) erstrecken, einer Isolationsschicht (7), die unterhalb der Leiterbahnen (12) und oberhalb der beiden Kontaktreihen angeordnet ist und Zwischenkontakte (8) umfasst, wobei jeder Zwischenkontakt (8) einen Kontakt (2) der beiden Kontaktreihen mit der darüber verlaufenden Leiterbahn (12) verbindet, wobei die Zwischenkontakte (8) als Zwischenkontaktbahnen ausgebildet sind, die sich entlang der zweiten Richtung (4) erstrecken, wobei die Zwischenkontaktbahnen unmittelbar an die Leiterbahnen (12) angrenzen.