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Verfahren zum Auffüllen eines Grabens (5) in einem Halbleiterprodukt (1), umfassend: Abscheiden eines ersten Materials (12a) auf ein Halbleiterprodukt (1), das eine Oberfläche (4), in der mindestens ein Graben (5) ausgebildet ist, aufweist, wodurch innerhalb des Grabens (5) und auf der Oberfläche (4) des Halbleiterprodukts (1) außerhalb des Grabens (5) eine erste Schicht (12) gebildet wird, wobei das erste Material (12a) elektrisch leitfähig ist, Abscheiden eines zweiten Materials (14a), wodurch über der ersten Schicht (12) außerhalb des Grabens (5) eine zweite Schicht (14) gebildet und der Graben (5) aufgefüllt wird, chemisch-mechanisches Polieren, wodurch über der ersten Schicht (12) außerhalb des Grabens (5) die zweite Schicht (14) entfernt wird und wodurch die erste Schicht (12) außerhalb des Grabens (5) zumindest freigelegt wird, und Entfernen restlichen ersten Materials (12a) der ersten Schicht (12) durch nasschemisches Ätzen, wobei das nasschemische Ätzen als rein chemisches Ätzen ohne mechanischen Abrieb durch...
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