用于半导体衬底支撑件的温度控制的装置和方法

摘要

一种用于其上有在真空室中进行多步骤处理的半导体衬底的衬底支撑件的再循环系统，其包含衬底支撑件，其具有至少一个位于其底板中的液体流道、与流道流体连通的入口和出口、与该入口流体连通的供给管线和与该出口流体连通的回流管线；第一再循环装置，其与供给管线和回流管线流体连通，提供温度在T1的液体；第二再循环装置，其与供给管线和回流管线流体连通，提供温度在T2的液体，温度T2高于温度T1至少10℃；连接到入口和出口的提供温度在Tpc的液体的预冷却单元，温度Tpc比T1低至少10℃；连接到出口和入口的提供温度在Tph的液体的预加热单元，温度Tph比T2高至少10℃；控制器，其能操作地以选择性地操作该再循环系统的阀以在流道和第一再循环装置、第二再循环装置、预冷却单元或预加热单元之间再循环液体。

主权项

一种等离子体处理系统，其包括用于将温度受控液体供应给衬底支撑件的再循环系统，在半导体处理室中在处理过程中进行多步骤处理的半导体衬底被所述衬底支撑件支撑，该系统包括：供给管线，其适于输送液体到所述衬底支撑件的入口，所述衬底支撑件包括流道，所述液体循环通过所述流道，以将在所述衬底支撑件的表面的热区保持在所需温度；回流管线，其适于使来自所述衬底支撑件的出口的液体在其循环通过所述流道后回流；第一再循环装置，其能操作以提供温度在T1的液体到所述供给管线，并接收来自所述回流管线的液体，所述第一再循环装置与所述供给管线以及所述回流管线流体连通；第二再循环装置，其能操作以提供温度在T2的液体到所述供给管线，以及接收来自所述回流管线的液体，所述第二再循环装置与所述供给管线以及所述回流管线流体连通，其中温度T2高于温度T1至少10℃；预冷却单元，其能操作以将温度在Tpc的液体提供给所述供给管线，其中温度Tpc低于T1至少10℃；预加热单元，其能操作以将温度在Tph的液体提供给所述供给管线，其中温度Tph高于T2至少10℃；电子驱动阀，其能操作以通过使所述第一再循环装置或所述第二再循环装置与所述供给管线和所述回流管线连接，或者使液体在所述预加热单元和所述预加热单元循环或循环通过所述预加热单元和所述预加热单元，从而将温度在T1、T2、Tpc或Tph的液体提供给所述供给管线。