光纤预制棒的制造方法

摘要

本发明公开了一种光纤预制棒的制造方法，包括步骤：(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒，采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层；(2)将步骤(1)中制备的光纤芯棒和掺氟下陷包层，熔缩成光纤芯棒预制件；(3)将所述光纤芯棒预制件安置在外部气相沉积OVD车床上，进行外包层的沉积，沉积完成后，将其烧结成透明的光纤预制棒。本发明能够大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的制造效率，降低生产成本，便于规模化生产的推广，以满足高速宽带接入网络对弯曲不敏感单模光纤发展的需求，而且提升了氟的沉积效率，增大了氟沉积包层的下陷深度，显著提升了光纤的抗弯能力。

主权项

一种光纤预制棒的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒，采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层；其中，采用PCVD工艺制备掺氟下陷包层，具体包括以下步骤：将外直径为58.5mm、内直径为52.5mm的纯石英玻璃基管，安置在PCVD沉积车床上，通入四氯化硅、C2F6和高纯氧气的混合气体，PCVD工艺的加工参数为：混合气体的总流量为8500～9500ml/min，在9.6～13.8kW微波的作用下，在石英基管的内部沉积掺氟下陷包层，石英管内压力为8～15mbar，沉积速率为4.3～6.6g/min，沉积2.0～6.8mm厚的掺氟下陷包层，氟掺杂重量浓度百分比为1.0～7％，掺氟下陷包层与纯石英玻璃基管的相对折射率差为‑0.63％～‑1.6％；(2)将步骤(1)中制备的光纤芯棒和掺氟下陷包层，熔缩成光纤芯棒预制件；(3)将所述光纤芯棒预制件安置在外部气相沉积OVD车床上，进行外包层的沉积，沉积完成后，将其烧结成透明的光纤预制棒。