| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成一绝缘层，且在所述绝缘层中形成铜金属互连线；在所述绝缘层以及铜金属互连线上形成富硅氮化硅层；在所述富硅氮化硅层上形成热氧化物层；在所述热氧化物层上形成掺杂氮的碳化硅层。根据本发明，所述富硅氮化硅层和所述热氧化物层构成双层铜金属扩散阻挡层，所述热氧化物层可以有效改善等离子体诱导损伤（PID）所诱导生成的电流对器件的损害。 | ||
| 申请公布号 | CN102915952A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201110222354.7 | 申请日期 | 2011.08.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 魏宁;刘明霞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成一绝缘层，且在所述绝缘层中形成铜金属互连线；在所述绝缘层以及铜金属互连线上形成富硅氮化硅层；在所述富硅氮化硅层上形成热氧化物层；在所述热氧化物层上形成掺杂氮的碳化硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||