发明名称 一种薄膜结构透明电极及其制备方法
摘要 本发明公开一种薄膜结构透明电极及其制备方法,所述薄膜结构透明电极包括与n型半导体形成肖特基接触的金属铱,或与p型半导体形成欧姆接触的氧化铱;在金属铱加入金属镍形成金属铱-金属镍-金属铱;在氧化铱中加入氧化镍形成氧化铱-氧化镍-氧化铱。本发明具备金属功函数大、熔点高、热稳定性好、透光性好、强抗腐蚀性及抗氧化性良好等优点。
申请公布号 CN102916103A 申请公布日期 2013.02.06
申请号 CN201210346102.X 申请日期 2012.09.18
申请人 中山大学 发明人 江灏;伍伟聪;李剑飞
分类号 H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/42(2010.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 林丽明;林伟斌
主权项 一种薄膜结构透明电极,其特征在于,包括与n型半导体形成肖特基接触的金属铱,或与p型半导体形成欧姆接触的氧化铱。
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