发明名称 | 一种薄膜结构透明电极及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种薄膜结构透明电极及其制备方法,所述薄膜结构透明电极包括与n型半导体形成肖特基接触的金属铱,或与p型半导体形成欧姆接触的氧化铱;在金属铱加入金属镍形成金属铱-金属镍-金属铱;在氧化铱中加入氧化镍形成氧化铱-氧化镍-氧化铱。本发明具备金属功函数大、熔点高、热稳定性好、透光性好、强抗腐蚀性及抗氧化性良好等优点。 | ||
申请公布号 | CN102916103A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
申请号 | CN201210346102.X | 申请日期 | 2012.09.18 |
申请人 | 中山大学 | 发明人 | 江灏;伍伟聪;李剑飞 |
分类号 | H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/42(2010.01)I |
代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 林丽明;林伟斌 |
主权项 | 一种薄膜结构透明电极,其特征在于,包括与n型半导体形成肖特基接触的金属铱,或与p型半导体形成欧姆接触的氧化铱。 | ||
地址 | 510275 广东省广州市新港西路135号 |