发明名称 半导体器件及其封装方法
摘要 本发明提供一种半导体器件及其封装方法。其中,半导体器件包括半导体基底和柱状电极,所述半导体基底上具有焊盘,所述焊盘与所述柱状电极的一端电连接,所述柱状电极外侧裹覆焊接凸点,且所述焊接凸点覆盖所述柱状电极的周面及远离所述焊盘的端面。上述方案,使焊接凸点裹覆在柱状电极的外侧,使焊接凸点与柱状电极形成了类似插销的结构,焊接凸点与柱状电极由现有的单平面接触变为多面接触,接触面积增大,两者的结合力增强,使得焊接凸点受到的可接受外力大大增强,进而提高了焊接凸点与柱状电极结合的可靠性。
申请公布号 CN102915981A 申请公布日期 2013.02.06
申请号 CN201210444184.1 申请日期 2012.11.08
申请人 南通富士通微电子股份有限公司 发明人 陶玉娟;缪小勇
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 北京市惠诚律师事务所 11353 代理人 雷志刚;潘士霖
主权项 一种半导体器件,包括半导体基底和柱状电极,所述半导体基底上具有焊盘,所述焊盘与所述柱状电极的一端电连接,其特征在于,所述柱状电极外侧裹覆焊接凸点,且所述焊接凸点覆盖所述柱状电极的周面及远离所述焊盘的端面。
地址 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号