| 发明名称 | 切割/芯片接合薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明涉及切割/芯片接合薄膜。本发明提供可以防止回流焊接破裂的产生从而可以以良好的生产率制造可靠性优良的半导体装置的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，至少具有在支撑基材上设置有粘合剂层的切割薄膜以及设置在所述粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，通过下式（1）（式中，所述M1表示所述切割/芯片接合薄膜的初始重量，M2表示将该切割/芯片接合薄膜在85℃、85%RH的气氛中放置120小时进行吸湿后的重量）计算的吸水率为1.5重量%以下。[(M2-M1)/M1]×100=吸水率（重量%）（1）。 | ||
| 申请公布号 | CN102911617A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201210276141.7 | 申请日期 | 2012.08.03 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 松村健 |
| 分类号 | C09J7/02(2006.01)I;C09J133/00(2006.01)I;C09J4/02(2006.01)I;C09J4/06(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | C09J7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种切割/芯片接合薄膜，至少具有在支撑基材上设置有粘合剂层的切割薄膜以及设置在所述粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，通过下式（1）计算的吸水率为1.5重量%以下，[(M2‑M1)/M1]×100=吸水率（重量%） （1）式中，所述M1表示所述切割/芯片接合薄膜的初始重量，M2表示将该切割/芯片接合薄膜在85℃、85%RH的气氛中放置120小时进行吸湿后的重量。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||