| 发明名称 | 在半导体器件上同时制作通孔和沟槽的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在半导体器件上同时制作通孔和沟槽的方法，该方法包括：在半导体器件上提供一介质层上沉积金属硬掩膜层，在金属硬掩膜层上沉积硬掩膜层，提供具有沟槽图案及通孔图案的印章；将具有沟槽图案及通孔图案的印章压印在具有硬掩膜层和金属硬掩膜层的介质层上；以在介质层上的该压印沟槽图案及通孔图案为掩膜，刻蚀介质层，在介质层中形成沟槽和通孔。本发明可以避免两次光刻工艺，在半导体器件上同时制作通孔和沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN102915950A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201110220660.7 | 申请日期 | 2011.08.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;王冬江 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;B29C59/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种在半导体器件上同时制作通孔和沟槽的方法，该方法包括：在半导体器件上提供一介质层上沉积金属硬掩膜层，在金属硬掩膜层上沉积硬掩膜层，提供具有沟槽图案及通孔图案的印章；将具有沟槽图案及通孔图案的印章压印在具有硬掩膜层和金属硬掩膜层的介质层上；以在介质层上的该压印沟槽图案及通孔图案为掩膜，刻蚀介质层，在介质层中形成沟槽和通孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||