发明名称 |
一种光电二极管及其制作方法 |
摘要 |
本发明的实施例公开了一种光电二极管及其制作方法,涉及光电技术领域,能够降低能量的损耗。该光电二极管包括:位于底层的衬底;覆盖衬底的下包层凸台,下包层凸台在入射波方向的末端的宽度宽于入射波方向始端的宽度,且下包层凸台在入射波方向的末端的两侧边平行,下包层凸台在入射波方向的始端的两侧边平行;覆盖下包层凸台的入射波导芯层;覆盖入射波导芯层的上包层;位于上包层上方的光匹配层,光匹配层包括:光匹配层前端和光匹配层后端,其中光匹配层前端包含有沿入射波方向延伸的至少一条空气缝,且空气缝将光匹配层前端分割成间隔设置的特征单元;位于光匹配层后端中部上方的雪崩光电二极管。本发明的实施例应用于光电二极管制造。 |
申请公布号 |
CN102916071A |
申请公布日期 |
2013.02.06 |
申请号 |
CN201210302467.2 |
申请日期 |
2012.08.23 |
申请人 |
华为技术有限公司;华中科技大学 |
发明人 |
史华;余长亮;付生猛;赵彦立 |
分类号 |
H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/107(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种光电二极管,包括入射波导、光匹配层和雪崩光电二极管,其特征在于,所述光电二极管还包括位于底层的衬底;所述入射波导包括:覆盖所述衬底的下包层,所述下包层包括位于所述下包层上方中部的长条形下包层凸台,所述下包层凸台在入射波方向的末端的宽度宽于在所述入射波方向始端的宽度,且所述下包层凸台在所述入射波方向的末端的两侧边平行,所述下包层凸台在所述入射波方向的始端的两侧边平行;覆盖所述下包层凸台的入射波导芯层;覆盖所述入射波导芯层的上包层;所述光匹配层位于所述上包层上方,所述光匹配层包括:光匹配层前端和光匹配层后端,其中所述光匹配层前端包含有沿所述入射波方向延伸的至少一条空气缝,所述空气缝将所述光匹配层前端分割成间隔设置的特征单元;所述雪崩光电二极管位于所述光匹配层后端中部上方;所述光电二极管还包括位于所述雪崩光电二极管上方的第一接触电极和位于所述雪崩光电二极管两侧的光匹配层上方的第二接触电极。 |
地址 |
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