图像传感器的形成方法

摘要

一种图像传感器的形成方法，包括：半导体衬底包括：感光区以及位于感光区两侧的遮光区；在半导体衬底表面依次形成第一绝缘层、第一阻挡层、第二绝缘层和第二阻挡层，遮光区的第二绝缘层内具有遮光层；在感光区形成第一开口，第一开口底部到第一阻挡层具有预设距离，在遮光区形成第二开口，第二开口暴露出遮光层表面，并去除第一光刻胶层；之后，在第二阻挡层、以及第一开口和第二开口的侧壁和底部表面形成第三阻挡层；去除第一开口和第二开口底部的第三阻挡层；之后，去除第一开口底部的第二绝缘层。所形成的图像传感器性能良好。

主权项

一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括：感光区以及位于所述感光区两侧的遮光区；在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层、位于所述第一绝缘层表面的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层表面的第二绝缘层、以及位于所述第二绝缘层表面的第二阻挡层，所述遮光区的第二绝缘层内具有被所述第二绝缘层包裹的遮光层；在所述第二阻挡层表面形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层暴露出部分感光区和遮光区的第二阻挡层表面；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二阻挡层和第二绝缘层，在所述感光区形成第一开口，所述第一开口底部到所述第一阻挡层具有预设距离，在所述遮光区形成第二开口，所述第二开口暴露出所述遮光层表面；在刻蚀之后，去除所述第一光刻胶层；在去除所述第一光刻胶层之后，在所述第二阻挡层、以及第一开口和第二开口的侧壁和底部表面形成第三阻挡层；在所述第三阻挡层表面形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层的形状与第一光刻胶层相同；以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一开口和第二开口底部的第三阻挡层，直至暴露出第二开口底部的遮光层表面、以及第一开口底部的第二绝缘层表面；在刻蚀所述第三阻挡层之后，以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一开口底部的第二绝缘层，直至暴露出第一阻挡层为止。