一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法。本发明实施例一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，通过在设备内持续通入化学性质比较稳定的电子级气体，使得设备内气体环境无氧及颗粒污染物，从而能有效避免传统工艺中，由于清洗设备中的气体环境存在氧及颗粒污染物，而对清洗硅片造成硅片再次污染和硅片与空气中氧气反应生成氧化层及水痕的缺陷，从而大大的增加了产品的良率。

主权项

一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，应用于硅片清洗工艺中，包括酸槽式硅片清洗设备，所述酸槽式硅片清洗设备内设置有药液槽，其特征在于，在硅片清洗处理工艺前，于酸槽式硅片清洗设备内持续通入常况下化学性质较为稳定的电子级气体，以在进行硅片清洗处理工艺时保持纯净的气体环境。