一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法，其步骤为；（1）清洗基片：将基片在丙酮、乙醇、去离子水中各超声清洗10min，然后用氮气干燥后放入溅射真空室；（2）溅射Mo薄膜：在磁控溅射靶枪上安装高纯Mo靶，纯度达到99.99%，调整溅射靶枪到基片的距离为50mm，将真空时的本底真空抽到小于3.0×10-4Pa，通入99.995%的高纯氩气，调节溅射工作气压为0.15Pa，溅射功率为5W/cm2，待辉光稳定后，预溅射靶材10min以去除表面污染物。随后开始沉积薄膜，沉积20~40min后停止，得到具有（211）择优取向的Mo薄膜。该薄膜结晶质量高，表面形貌均匀，电阻率低，适合于用作铜铟镓硒薄膜电池的背电极层。

主权项

一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法，其特征在于：具体步骤是；（1）清洗基片：将基片在丙酮、乙醇、去离子水中各超声清洗10 min，然后用氮气干燥后放入溅射真空室；（2）溅射Mo薄膜：在磁控溅射靶枪上安装高纯Mo靶，纯度达到99.99%，调整溅射靶枪到与基片的距离为50 mm，将真空时的本底真空抽到小于3.0 ×10‑4 Pa，通入99.995%的高纯氩气，调节溅射工作气压为0.15 Pa，溅射功率为5 W/cm2，待辉光稳定后，预溅射靶材10 min以去除表面污染物；随后开始沉积薄膜，沉积20~40 min后停止，得到具有（211）择优取向的Mo薄膜。