| 发明名称 | 基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器，由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为由氧化钒介质层和氧化锌介质层组成的叠层结构，氧化钒介质层和氧化锌介质层薄膜采用直流溅射或射频溅射法制备。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化锌叠层结构，具有氧化锌双极性和单极性极性可控的优势，提高了器件的一致性和重复性；与单层氧化钒相比，reset电流降到了10mA以下；在双极性测试过程中，具有一个渐进的reset过程，可以通过不同振幅的reset电压而得到不同的高阻态的电阻，至少可以获得3个电阻值，并且每个电阻值之间有10倍以上的阻值比，因而可以将其应用于多值存储。 | ||
| 申请公布号 | CN102916129A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201210440132.7 | 申请日期 | 2012.11.07 |
| 申请人 | 天津理工大学 | 发明人 | 张楷亮;孙阔;王芳;陆涛;刘凯;武长强;赵金石 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人 | 侯力 |
| 主权项 | 一种基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器，其特征在于：由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为由氧化钒介质层和氧化锌介质层组成的叠层结构，氧化锌的成分为ZnO1‑x，其中0<x<0.5，氧化锌介质层的厚度为1‑500nm；氧化钒的成分为VOy，其中0.5<y<2.5，氧化钒介质层的厚度为1‑500nm。 | ||
| 地址 | 300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区 | ||