发明名称 发光二极管阵列及其制造方法
摘要 一种发光二极管阵列,其包括基板及形成于基板一侧的多个发光二极管,所述多个发光二极管之间电连接,所述每个发光二极管包括依次形成于所述基板上的n型氮化镓层、发光层及p型氮化镓层,该基板与n型氮化镓层之间设置有连接层,该基板邻近连接层的表面上形成有若干凸状结构,该连接层覆盖部分该若干凸状结构。针对发光二极管产生的光只有在小于临界角的情况下才能射出至外界的情况,该若干凸状结构改变局限于基板内的光的传导路径,从而提升该发光二极管阵列的光萃取率。本发明还涉及该种发光二极管阵列的制造方法。
申请公布号 CN102916028A 申请公布日期 2013.02.06
申请号 CN201110223564.8 申请日期 2011.08.05
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 洪梓健;沈佳辉
分类号 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管阵列,其包括基板及形成于基板一侧的多个发光二极管,所述多个发光二极管之间电连接,所述每个发光二极管包括依次形成于所述基板上的n型氮化镓层、发光层及p型氮化镓层,其特征在于:该基板与n型氮化镓层之间设置有连接层,该基板邻近连接层的表面上形成有若干凸状结构,该连接层覆盖部分该若干凸状结构。
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