| 发明名称 | 发射辐射半导体器件 | ||
| 摘要 | 发射辐射的半导体器件，具有包含发射辐射的有源层(5)的多层结构(4)和具有用于透射辐射的窗口(1)，此窗口只安置在多层结构(4)的背离半导体器件主发射方向的一侧且具有至少一个侧壁(10)，此侧壁具有向垂直于多层结构的半导体本体中轴而倾斜、凹入或阶梯形延伸的第一侧壁部分(10a)，从多层结构(4)进一步向背面延伸方向看，此第一侧壁部分过渡到垂直于多层结构的、也即平行于所述中轴的第二侧壁部分(10b)，其中窗口(1)的包括第二侧壁部分(10b)的部分构成半导体器件的装配底座，所述多层结构(4)至少部分地配置了具有大量开口(14)的接触面(6)。由此提供一种具有改进效率的发射辐射的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101604723B | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN200910148946.1 | 申请日期 | 2001.02.15 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | D·艾斯塞特;V·赫尔勒;F·科赫恩;M·蒙德布劳德-范格罗;U·斯特劳斯;U·泽赫恩德;J·鮑尔;U·杰科布;E·尼斯奇尔;N·林德;R·塞德梅尔 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元 |
| 主权项 | 发射辐射的半导体器件，具有包含发射辐射的有源层(5)的多层结构(4)和透过辐射的窗口(1)，该透过辐射的窗口(1)具有第一主面(2)和位于此第一主面对面的第二主面(3)并且该透过辐射的窗口(1)以第一主面(2)与多层结构(4)邻接，其中为形成相对于第一主面(2)倾斜延伸的辐射耦合输出面，所述窗口(1)具有至少一个空隙(8)，其特征在于，所述多层结构(4)至少部分地配置了具有大量开口(14)的接触面(6)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||