一种应用于存储单元的延时控制电路以及静态随机存储器

摘要

本发明提供了一种应用于存储单元的延时控制电路，包括：控制分压电路、选择电路以及下拉电路，当电压Vcc大于第一预设值时，下拉电路中的第一NMOS管以及第二NMOS管工作在饱和区，当电压Vcc小于第二预设值时，第二NMOS管工作在亚阈值区。本发明提供的延时控制电路能够在较低的工作电压时，保证第二NMOS工作在亚阈值区域，漏电流很小，可以实现对虚拟位线DBL的放电速度的降低，从而实现对灵敏放大器控制信号SAEN的延迟，可以保证SAEN信号到达时，存储阵列的读出BL和BLB有比较大的易于放大器读出的压差deltav，保证电路功能正确，没有逻辑错误。

主权项

一种应用于存储单元的延时控制电路，其特征在于，包括：控制分压电路、选择电路以及下拉电路，所述下拉电路包括第一NMOS管以及第二NMOS管；所述控制分压电路用于比较虚拟字线信号以及外接控制信号，并输出第一控制信号以及第一控制电平；所述选择电路用于接收所述第一控制信号，并根据所述第一控制信号输出第二控制电平；所述第一控制电平控制所述第二NMOS管的开启和关断，所述第二控制电平控制所述第一NMOS管的开启和关断，当电压Vcc大于第一预设值时，所述第一NMOS管以及所述第二NMOS管工作在饱和区，当电压Vcc小于第二预设值时，所述第二NMOS管工作在亚阈值区。