| 发明名称 | 一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，包括以下步骤：1）使用酸性溶液清洗SiC晶片；2）使用5%-30%体积比浓度的氢氟酸溶液清洗SiC晶片；3）将SiC晶片放入氧化炉，充入惰性气体和氧气的混合气作为保护气体，将氧化炉升温到氧化温度；4）向氧化炉内充入氧气，保持温度进行热氧化；5）向氧化炉内充入惰性气体，将SiC晶片由氧化温度降温到室温。本发明的有益效果：采用惰性气体和氧气的混合气作为保护气体，氧化层的厚度均匀性好。氧化速率提高，能够缩短工艺时间。形成的氧化层表面平整度较好，能够提高器件的可靠性和成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102915912A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201210355934.8 | 申请日期 | 2012.09.24 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 李理;陈刚;陈征;柏松 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水;周晓梅 |
| 主权项 | 一种在碳化硅表面形成牺牲氧化层的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1）使用酸性溶液清洗SiC晶片； 2）使用5%‑30%体积比浓度的氢氟酸溶液清洗SiC晶片；3）将SiC晶片放入氧化炉，充入惰性气体和氧气的混合气作为保护气体，将氧化炉升温到氧化温度； 4）向氧化炉内充入氧气，保持温度进行热氧化；5）向氧化炉内充入惰性气体，将SiC晶片由氧化温度降温到室温。 | ||
| 地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 | ||