| 发明名称 | 减少反应腔内杂质颗粒的方法和化学气相沉积设备 | ||
| 摘要 | 一种减少反应腔内杂质颗粒的方法和一种化学气相沉积设备。所述减少反应腔内杂质颗粒的方法，包括：提供反应腔；提供替换基片于所述反应腔内；在所述替换基片上及反应腔内壁形成覆盖层，所述覆盖层能吸附反应腔内的杂质颗粒。所述化学气相沉积设备，包括：反应腔和覆盖反应腔内壁的覆盖层，所述覆盖层对杂质颗粒有吸附作用。本发明能有效减少反应腔内的杂质颗粒的含量，提高生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102912318A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201210402056.0 | 申请日期 | 2012.10.19 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 杜杰;姜国伟;牟善勇;赵高辉;高峰;任逸 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种减少反应腔内杂质颗粒的方法，其特征在于，包括：提供反应腔；提供替换基片于所述反应腔内；在所述替换基片上及反应腔内壁形成覆盖层，所述覆盖层能吸附反应腔内的杂质颗粒。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||