场效应晶体管和其制造方法

摘要

本发明涉及碳纳米管场效应晶体管的制造方法，其能够再现性良好地制造稳定表现出优异的导电特性的碳纳米管场效应晶体管。首先，在基板上配置成为通道的碳纳米管后，用绝缘保护膜包覆碳纳米管。接着，在绝缘保护膜上形成源电极及漏电极。此时，在保护膜中形成接触孔，使碳纳米管与源电极及漏电极连接。然后，在绝缘保护膜和源电极及漏电极上，依次形成配线保护膜、导电性膜及等离子体CVD膜。这样制造的场效应晶体管中，成为通道的碳纳米管不被污染并且无损伤，因此稳定地表现出优异的导电特性。

主权项

一种场效应晶体管，其特征在于具有：半导体基板；形成在所述半导体基板的第1面上和第2面上的栅极绝缘膜；包含配置在所述半导体基板的所述第1面上所形成的所述栅极绝缘膜上的碳纳米管的通道；包覆所述碳纳米管的绝缘保护膜；分别配置在所述绝缘保护膜上，且经由所述绝缘保护膜中形成的接触孔而与所述碳纳米管电连接的源电极及漏电极；形成在所述半导体基板的所述第2面上所形成的所述栅极绝缘膜上的栅电极；包覆所述绝缘保护膜的等离子体化学气相沉积膜；以及形成在所述绝缘保护膜与所述等离子体化学气相沉积膜之间的导电性膜。