发明名称 低温离子镀膜装置
摘要 本实用新型公开了一种低温离子镀膜装置,包括真空室、工件转架和蒸发源,工作转架和蒸发源均设置在真空室内,其中在真空室内还设有离子装置,该离子装置设在工件转架的中部或外部位置上,对应蒸发源设置在真空室的周边或中部位置上;本实用新型的镀膜装置不仅能够同时适应合金属和非金属材料的镀膜,而且离化效率高、大大改善了膜层的附着力及膜层的稳定性和均匀性。
申请公布号 CN202717838U 申请公布日期 2013.02.06
申请号 CN201220324841.4 申请日期 2012.07.06
申请人 肇庆市同力真空科技有限公司;陆世德 发明人 陆世德
分类号 C23C14/32(2006.01)I 主分类号 C23C14/32(2006.01)I
代理机构 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人 李永庆
主权项 一种低温离子镀膜装置,包括真空室(1)、工件转架(2)和蒸发源(3),工作转架(2)和蒸发源(3)均设置在真空室(1)内,其特征在于:在真空室(1)内还设有离子装置(4),该离子装置(4)设置在工件转架(2)的中部位置,蒸发源(3)设置在真空室(1)内的周边位置上。
地址 526020 广东省肇庆市端州睦岗镇上元路