| 发明名称 | 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 | ||
| 摘要 | 一种倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽，刻蚀深度等于二氧化硅层的厚度；步骤3：以硅烷为原料采用VPE法刻蚀在沟槽内的硅衬底上形成倒V形的硅缓冲层；步骤4：分别用piranha、SC2、HF和去离子水，清洗沟槽底部的硅缓冲层；步骤5：采用低压MOCVD的方法，先在沟槽内生长GaAs缓冲层，然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤6：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的GaAs顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102243994B | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201110206340.6 | 申请日期 | 2011.07.22 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽，刻蚀深度等于二氧化硅层的厚度；步骤3：以硅烷为原料采用VPE法刻蚀在沟槽内的硅衬底上形成倒V形的硅缓冲层；步骤4：分别用piranha、SC2、HF和去离子水，清洗沟槽底部的硅缓冲层；步骤5：采用低压MOCVD的方法，先在沟槽内生长GaAs缓冲层，然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤6：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的GaAs顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||