半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提出了一种双接触孔形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成源极/漏极区域和替代栅结构，替代栅结构包括多晶硅栅；沉积第一层间介电层；对第一层间介电层进行平坦化处理，以暴露出替代栅结构中的多晶硅栅；去除多晶硅栅，并沉积形成金属栅；在第一层间介电层中刻蚀出第一源/漏区接触孔开口；在第一源/漏区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第一源/漏区接触孔；在第一层间介电层上沉积第二层间介电层；在第二层间介电层中刻蚀出第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口；以及在第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第二源/漏区接触孔和栅区接触孔。本发明还提出了一种通过上述工艺制造的半导体器件。

主权项

一种双接触孔形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成源极/漏极区域和替代栅结构，所述替代栅结构包括多晶硅栅；沉积第一层间介电层；对第一层间介电层进行平坦化处理，以暴露出所述替代栅结构中的多晶硅栅；采用替代栅工艺，去除多晶硅栅，并沉积形成金属栅；采用光刻工艺，在第一层间介电层中刻蚀出第一源/漏区接触孔开口，在第一源/漏区接触孔开口的底部，暴露出形成在半导体衬底上的源极/漏极区域；在第一源/漏区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第一源/漏区接触孔；在形成有第一源/漏区接触孔的第一层间介电层上沉积第二层间介电层；采用光刻工艺，在第二层间介电层中刻蚀出第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口，在第二源/漏区接触孔开口的底部，暴露出第一源/漏区接触孔，以及在栅区接触孔开口的底部，暴露出金属栅；以及在第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第二源/漏区接触孔和栅区接触孔。