| 发明名称 | 用于甲硅烷化的预处理方法及包括该方法的甲硅烷化方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于甲硅烷化的预处理方法，其特征在于，在对晶片进行甲硅烷化工序之前进行以下步骤：将晶片加热，并通氮气吹扫；通入稀释的甲硅烷化剂气体；和继续通氮气吹扫，并排气。本发明还涉及一种包括该预处理方法的甲硅烷化方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102915908A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201110219819.3 | 申请日期 | 2011.08.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 丁海涛 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 余玥君;汪洋 |
| 主权项 | 一种用于甲硅烷化的预处理方法，其特征在于，在对晶片进行甲硅烷化工序之前进行以下步骤：将晶片加热，并通氮气吹扫；通入稀释的甲硅烷化剂气体；和继续通氮气吹扫，并排气。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||