一种垂直型半导体器件

摘要

本发明公开了一种垂直型半导体器件。该垂直型半导体器件包括：衬底，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；外延层，位于衬底的第一表面，具有与衬底的第一表面相对的第三表面；源极区和栅极，位于外延层中并邻近第三表面；源极电极，与源极区耦接并与栅极隔离；漏极电极，位于衬底的第二表面；第一栅极电极，制作于衬底的第二表面附近，与衬底隔离；以及深栅极接触，将栅极耦接至第一栅极电极。

主权项

一种垂直型半导体器件，包括：衬底，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；外延层，位于衬底的第一表面，具有与衬底的第一表面相对的第三表面；源极区和栅极，位于外延层中并邻近第三表面；源极电极，与源极区耦接并与栅极隔离；漏极电极，位于衬底的第二表面；第一栅极电极，制作于衬底的第二表面附近，与衬底隔离；以及深栅极接触，将栅极耦接至第一栅极电极。