IC管芯、半导体封装、印制电路板和IC管芯制造方法

摘要

本发明公开了一种IC管芯和包括这种IC管芯的一种半导体封装(10)。所述封装包括：第一电压端(12)；第二电压端(14)；包括第一MOSFET(100)的第一管芯，所述第一MOSFET具有与所述第一电压端电连接的漏极区(102)并且还具有源极区(104)；以及与所述第一管芯相邻的第二管芯，所述第二管芯包括第二MOSFET(100’)，所述第二MOSFET具有与所述第一MOSFET的源极区电连接的漏极区并且具有所述第二电压端电连接的源极区，其中所述半导体封装还包括纵向电容器(200)，所述纵向电容器具有与所述第一MOSFET的漏极区电连接的第一极板(202)以及与所述第二MOSFET的源极区电连接并且利用电介质材料(204)与所述第一极板电绝缘的第二极板(206)，将所述电容器集成到所述第一管芯或者所述第二管芯上。本发明还公开了一种印制电路板和一种用于制造所述IC管芯的方法。

主权项

一种集成电路管芯，包括将源极区和漏极区(102)之一与半导体区(104)隔开的衬底(110)，所述集成电路包括：纵向晶体管区(100)，包括：所述源极区或者漏极区；在延伸进入所述半导体区的沟槽中形成的栅极电极(115)，所述栅极电极通过所述沟槽中的电介质衬里(118)与所述半导体区电绝缘；以及在所述半导体区中的所述源极区和漏极区中的另一个；终止所述纵向晶体管区的绝缘沟槽；以及与所述纵向晶体管区(100)相邻的纵向电容器区(200)，所述纵向电容器区(200)的第一电容器极板包括通过所述衬底(110)与所述半导体区(104)隔开的所述源极区或者漏极区(102)，所述纵向电容器区还包括延伸进入所述半导体区(104)的至少一个沟槽，所述至少一个沟槽包括电绝缘衬里材料(204)，所述衬里材料使得限定了第二电容器极板的导电材料(202)与所述第一电容器极板(102)电绝缘。