发明名称 |
选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 |
摘要 |
一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在InP衬底上制作两条介质掩膜图形,该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区;步骤2:在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区;步骤3:在多量子阱有源区上制作均匀光栅;步骤4:腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模,在光栅层上依次生长InP包层和电接触层;步骤5:在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区,刻蚀深度到达InP包层的表面;步骤6:电接触层上刻蚀脊波导结构;步骤7:在脊波导结构上蒸镀正面电极;步骤8:将InP衬底减薄,在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极;步骤9:在管芯一端蒸镀抗反射薄膜,另一端蒸镀高反射膜,完成自脉动器件管芯的制作。 |
申请公布号 |
CN102496853B |
申请公布日期 |
2013.02.06 |
申请号 |
CN201110415079.0 |
申请日期 |
2011.12.13 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
张灿;朱洪亮;梁松;马丽 |
分类号 |
H01S5/12(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/12(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在InP衬底上制作两条介质掩膜图形,该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区,该两条介质掩模图形的材料为SiO2或Si3N4,厚度为30至300纳米,该介质掩模图形的A段和B段的多量子阱有源区的增益峰值波长差为0.01nm至10nm,对应的自脉动拍频频率为1.25GHz至1.25THz;步骤2:在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区;步骤3:在多量子阱有源区上制作均匀光栅;步骤4:腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模,在光栅层上依次生长InP包层和电接触层;步骤5:在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区,刻蚀深度到达InP包层的表面;步骤6:电接触层上刻蚀脊波导结构;步骤7:在脊波导结构上蒸镀正面电极;步骤8:将InP衬底减薄,在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极;步骤9:在管芯一端蒸镀抗反射薄膜,另一端蒸镀高反射膜,完成自脉动器件管芯的制作。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |