发明名称 |
功率二极管器件 |
摘要 |
本实用新型公开了一种功率二极管器件,它包括相层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、环形场板、形成肖特基结的金属层,外延层在其与环形场板相邻的一端上具有多个场限环,环形场板上形成有多个呈环形的凹凸部,环形场板的凸部的最高点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高,环形场板的最低点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高,最靠近所述功率二极管器件中心的环形场板向外延层的投影位于最靠近中心的场限环内,金属层覆盖任一个环形场板的凹部,外延层与阴极相电连,金属层与阳极相连。 |
申请公布号 |
CN202721133U |
申请公布日期 |
2013.02.06 |
申请号 |
CN201220395533.0 |
申请日期 |
2012.08.10 |
申请人 |
江苏能华微电子科技发展有限公司 |
发明人 |
朱廷刚 |
分类号 |
H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
孙仿卫;李艳 |
主权项 |
一种功率二极管器件,其特征在于:它包括相层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、环形场板、形成肖特基结的金属层,所述外延层在其与所述环形场板相邻的一端上具有多个场限环,所述环形场板上形成有多个呈环形的凹凸部,环形场板的凸部的最高点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高,环形场板的最低点自该功率部件的内侧向外侧逐渐升高,最靠近所述功率二极管器件中心的环形场板向外延层的投影位于最靠近中心的场限环内,所述金属层覆盖任一个环形场板的凹部,所述外延层与阴极相电连,所述金属层与阳极相连。 |
地址 |
215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园 |