发明名称 半导体发光装置、半导体发光系统和照明设备
摘要 本发明的课题在于提供一种发出相关色温为1600K以上且小于2400K、并且Ra高的光的半导体发光装置以及具备该半导体发光装置的半导体发光系统。该课题通过具有以下构成的半导体发光装置而解决。半导体发光装置(1)具备作为半导体发光元件的LED芯片(10)和将LED芯片(10)作为激发源而发光的荧光体(20),其发出相关色温为1600K以上且小于2400K的光。荧光体(20)至少包含绿色荧光体和红色荧光体。在由该半导体发光装置(1)发出的光的光谱中,由LED芯片(10)发出的光的峰强度的值为小于荧光体(20)发出的光的最大峰强度的60%的值。
申请公布号 CN102918668A 申请公布日期 2013.02.06
申请号 CN201280001352.8 申请日期 2012.03.29
申请人 三菱化学株式会社 发明人 作田宽明;小原悠辉;佐藤义人
分类号 H01L33/50(2006.01)I;C09K11/59(2006.01)I;C09K11/64(2006.01)I;C09K11/73(2006.01)I;F21V9/16(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)I 主分类号 H01L33/50(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;孟伟青
主权项 一种半导体发光装置,其特征在于,其具备:放出在380nm以上且430nm以下具有发光峰值的光的半导体发光元件、和将所述半导体发光元件作为激发源而发光的荧光体,所述半导体发光装置发出相关色温为1600K以上且小于2400K的光,所述荧光体至少包含蓝色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体,在由该半导体发光装置发出的光的光谱中,由所述半导体发光元件发出的光的峰强度的值为小于所述荧光体发出的光的最大峰强度的60%的值,并且,最大峰位于600nm以上且660nm以下。
地址 日本东京都