| 发明名称 | 一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀，其特征在于它还包括以下步骤：(1)将处理后的硅片浸没硝酸和盐酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅；(2)清洗、烘干步骤(1)得到的带有二氧化硅膜的电池片；(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)的二氧化硅膜上沉积一层氮化硅薄膜。本发明的二氧化硅膜是通过浸泡在硝酸和盐酸的混合液中来生成的，缩短了制备二氧化硅膜的周期，利用等离子体增强化学气相沉积方法在二氧化硅膜上沉积氮化硅膜，制得的双层减反射膜结构均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN102916080A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201210401660.1 | 申请日期 | 2012.10.22 |
| 申请人 | 江苏荣马新能源有限公司 | 发明人 | 不公告发明人 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 张惠忠 |
| 主权项 | 一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀，其特征在于它还包括以下步骤：(1)将处理后的硅片浸没硝酸和盐酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅；(2)清洗、烘干步骤(1)得到的带有二氧化硅膜的电池片；(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)的二氧化硅膜上沉积一层氮化硅薄膜。 | ||
| 地址 | 223700 江苏省宿迁市泗阳县经济技术开发区长江路3号 | ||