| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，包括第一和第二可控垂直n沟道半导体芯片。每个可控垂直n沟道半导体芯片具有前侧、与前侧相对的后侧、布置在前侧上的前侧主接触、布置在后侧上的后侧主接触、以及布置在前侧上的用于控制前侧主接触与后侧主接触之间的电流的栅接触。第一和第二半导体芯片的后侧接触彼此电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102915987A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201210273756.4 | 申请日期 | 2012.08.02 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 斯特凡·马谢纳;安德烈亚斯·迈塞尔;斯特芬·蒂勒 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H02M7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括第一和第二可控垂直n沟道半导体芯片，每个半导体芯片包括：前侧；后侧，与所述前侧相对；前侧主接触，布置在所述前侧上；后侧主接触，布置在所述后侧上；以及栅接触，布置在所述前侧上，用于控制所述前侧主接触与所述后侧主接触之间的电流，其中，所述第一和第二半导体芯片的所述后侧接触彼此电连接。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||