| 发明名称 | 一种铜互连结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种铜互连结构及其制造方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；刻蚀所述介质层，形成暴露衬底的沟槽；在所述沟槽内沉积扩散阻挡层并填充金属铜；去除沟槽外多余的扩散阻挡层及金属铜；在所述沟槽上方形成金属帽盖，所述金属帽盖的材料为CuxSi，覆盖所述沟槽内金属铜。本发明通过采用新型材料制造金属帽盖，解决了现有技术中金属帽盖与铜粘附性差的问题，提高了器件可靠性，同时制备工艺简单，能够和业界通用设备兼容，降低了制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102915958A | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN201210353040.5 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 曾绍海 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；刻蚀所述介质层，形成暴露衬底的沟槽；在所述沟槽内沉积扩散阻挡层并填充金属铜；去除沟槽外多余的扩散阻挡层及金属铜；在所述沟槽上方形成金属帽盖，所述金属帽盖的材料为CuxSi，覆盖所述沟槽内金属铜。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科高斯路497号 | ||