发明名称 |
一种用于有源像素传感器的绝缘体上硅结构形成方法 |
摘要 |
本发明涉及有源像素传感器领域,特别涉及一种将图像传感器中的部分耗尽(PD)型和全耗尽(FD)型MOS器件在同一绝缘体上硅(SOI)基底实现的SOI结构生成方法。本发明包括:在多晶硅衬底上形成第一氧化层;在第一氧化层上形成半绝缘多晶硅层:在半绝缘多晶硅层上刻蚀出沟槽;在刻蚀后的半绝缘多晶硅薄膜层上得到第二氧化层;刻蚀出一个贯穿至多晶硅衬底的窗口;形成顶层多晶硅层。本发明方法在实现了有源像素传感器中的部分耗尽(PD)型MOS管和全耗尽型(FD)型MOS管在同一SOI基底上制作,提高图像传感器热稳定性和抗辐射性能的同时,降低了工艺的复杂程度。 |
申请公布号 |
CN102915947A |
申请公布日期 |
2013.02.06 |
申请号 |
CN201210379409.X |
申请日期 |
2012.10.09 |
申请人 |
哈尔滨工程大学 |
发明人 |
王颖;杨晓亮;曹菲;邵磊;刘云涛 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用于有源像素传感器的绝缘体上硅结构形成方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)通过热氧化生长法,在多晶硅衬底上形成第一氧化层(101);(2)在第一氧化层上利用低压气相淀积,使SiH4与N2O和N2在650℃在第一氧化层上形成半绝缘多晶硅层(201):(3)在半绝缘多晶硅层上涂光刻胶,用光刻技术,曝光刻蚀出沟槽;(4)在刻蚀后的半绝缘多晶硅层上利用低压气相淀积在500℃以下通过SiH4和O2反应得到第二氧化层(401);(5)在第二氧化层上涂光刻胶,曝光刻蚀出一个贯穿至多晶硅衬底的窗口(302);(6)利用选择外延生长,通过窗口在第二氧化层上形成顶层多晶硅层(401)。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室 |