薄膜晶体管基板及应用其的显示装置与其制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管基板及应用其的显示装置与其制造方法。该薄膜晶体管基板的制造方法包括：在一基板上沉积一源极层；在源极层上直接沉积一有源层，有源层包括金属氧化物半导体材料或有机半导体材料；在有源层上直接沉积一漏极层，其中有源层接触源极层与漏极层；从源极层、有源层与漏极层分别定义出一源极、一有源区与一漏极；在漏极上依序沉积一栅极绝缘层及一栅极层，以覆盖源极、有源区与漏极；以及从栅极层定义出一栅极。由于有源区使用金属氧化物半导体材料或有机半导体材料，其载子迁移率极高，因而可大幅提升充电效能，且其制程简单、可室温成膜并适用于软性基板、并且可应用在大型基板量产。

主权项

一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括：在一基板上沉积一源极层；在所述源极层上直接沉积一有源层，所述有源层包括金属氧化物半导体材料或有机半导体材料；在所述有源层上直接沉积一漏极层，其中所述有源层接触所述源极层与所述漏极层；从所述源极层、所述有源层与所述漏极层分别定义出一源极、一有源区与一漏极；在所述漏极上依序沉积一栅极绝缘层及一栅极层，以覆盖所述源极、所述有源区与所述漏极；以及从所述栅极层定义出一栅极。