| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；以及形成在半导体器件的表面上、密封住除了突出电极的顶端部分的上述突出电极的树脂层；上述突出电极具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1783470B | 申请公布日期 | 2013.02.06 |
| 申请号 | CN200510118900.7 | 申请日期 | 1997.07.10 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 深泽则雄;川原登志实;森冈宗知;大泽满洋;松木浩久;小野寺正德;河西纯一;丸山茂幸;竹中正司;新间康弘;佐久间正夫;铃木义美 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：形成有电子电路的衬底，其中，衬底的切断位置处形成有切断位置沟；在所述衬底的表面上形成的突出电极；以及在所述衬底的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述切断位置沟和突出电极的树脂层，上述树脂层在上述切断位置沟处比上述树脂层的其它部分厚，所述树脂层由压缩成型形成，所述树脂层无脱模剂，其中，所述半导体装置是在衬底的切断位置处用切片刀具与树脂层一起切断衬底而制造的。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||