发明名称 一种气相外延设备进行材料生长的控制系统
摘要 本实用新型公开了一种气相外延设备进行材料生长的控制系统,属于半导体技术领域。本系统包括一工控机和一可编程控制器,所述工控机通过工业通信总线分别与气相外延设备的可编程控制器、气体流量计、和/或压力控制器、和/或加热器、和/或转动盘连接。设置多个温区加热器进行动态补偿衬底温度。在气动阀控制方面取消逐个控制,设置联动自动控制开关,根据各路源气的设定值,联动打开气动阀和设定MFC。在压力控制方面,增加限制蝶阀角度控制,控制范围在大于5°小于40°之间,达到压力平稳控制和保证气体一直往下流。在材料生长控制方面,除了能实现自动运行菜单外,创造实行跳步生长、无缝更新菜单和中途指定步生长。
申请公布号 CN202717874U 申请公布日期 2013.02.06
申请号 CN201220221883.5 申请日期 2012.05.16
申请人 东莞市中镓半导体科技有限公司 发明人 袁志鹏;刘鹏;赵红军;张茶根;张俊业;毕绿燕;张国义;童玉珍;孙永健
分类号 C30B25/16(2006.01)I 主分类号 C30B25/16(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 余长江
主权项 一种气相外延设备进行材料生长的控制系统,其特征在于包括一工控机和一可编程控制器,所述工控机通过工业通信总线分别与气相外延设备的可编程控制器、气体流量计、和/或压力控制器、和/或加热器、和/或转动盘连接。
地址 523500 广东省东莞市企石镇科技工业园