半导体器件

摘要

本发明提供如下的技术：在包括使用了相变材料的存储单元的半导体器件中，使控制写入速度的置位动作高速化。采用如下方案：将施加在相变材料上的置位脉冲电压取为2级，以第一级电压使相变材料的温度成为核生成最快的温度，以第二级脉冲使之成为结晶生长最快的温度，不溶化相变材料地使其固相生长。另外，采用如下方案：在相变材料上施加的2级脉冲电压由可降低漏极电流标准离差的施加在字线上的2级电压来控制。

主权项

一种半导体器件的控制方法，该半导体器件包括：多条字线；多条位线；以及设置在上述多条字线和上述多条位线的预定交点上的包括相变材料和选择元件的存储单元，该半导体器件的控制方法的特征在于：在使上述相变材料结晶化的置位动作时，将低于使上述相变材料非晶化的复位动作时的电压、并且从施加脉冲开始达到结晶化温度的时间比结晶化进展的时间短、且若一直施加则会达到上述相变材料的融点的电压施加在上述相变材料上，使上述相变材料的温度上升，并在达到上述融点之前停止上述电压的施加，冷却上述相变材料。