具备有机多介电层之记忆体元件

摘要

本发明系揭露一种具备有机多介电层之记忆体元件，其系包含一基板、一闸极电极、一多介电层、一半导体通道层、一汲极电极及一源极电极。其中，闸极电极形成于基板上，多介电层形成于闸极电极上，半导体通道层、一汲极电极及一源极电极皆形成于多介电层上，且汲极电极与源极电极同时与半导体通道层电性接触。多介电层主要材料为具备氢氧基之有机高分子聚合物，其用以打开半导体通道层并捕捉电荷使元件具有记忆效应，同时多介电层中部分材料可降低漏电流。