半导体晶圆之制造装置及方法

摘要

[课题]制造全面具有良好平面度的磊晶。;[解决手段]各种的成膜条件下实际在晶圆样品上试着成长磊晶膜，测量成长前后晶圆全面的厚度形状，并根据厚度形状差，掌握并记忆在各种的成膜条件下磊晶膜在全区的膜厚形状。之后，测量素材晶圆在全区的厚度形状，而且分别加上事先记忆的种种成膜条系件下的膜厚形状，预测各种的成膜条件下的制品晶圆的平面度。于是，选择1种加工条件，满足预测的平面度要求规格，并在此加工条件下，实际在素材晶圆上成长磊晶膜。