发明名称 双极性–互补式金氧半导体反相器电路
摘要
申请公布号 TW124886 申请公布日期 1989.12.11
申请号 TW077109109 申请日期 1988.12.29
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 辛尹承;闵圣基
分类号 H02M1/00 主分类号 H02M1/00
代理机构 代理人 郑自添 台北巿敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1﹒一种Bicmos反相器电路,包含:一接收高,低信号的输入端;一P型MOS电晶体,其有一闸极连接到﹒该输入端,有一源极连接到电压源,以及有一汲极连接到信号输出端;一N型MOS电晶体,其有一闸极连接到该输入端,有一源极连接到地端,以及有一汲极接至该信号输出端;一第一双极性电晶体,其有一射极,连接至信号输出端之一基极,以及连接至该P型MOS电晶体源极之一集极;一第二只极性电晶体,其有一连接至该第一双极性电晶体基极之基极,一连接至该N型MOS电晶体源极之汲极,以及一连接至该N型MOS电晶体源极之集极;与一逻辑输出端,其同时连接到该第一双极性电晶体第二双极电晶体的射极。2﹒申请专利范围第1项之Bicmos反相器电路,更包含由P型和N型MOS电晶体相互串联所组成的另一CMOS反相器,其有闸极接至该输入端,汲极被接至第一与第二双极性电晶体的射极,以及源极分别被接至该第一双极性电晶体之集极与该第二双极性电晶体的集极,因此容许来自该逻辑输出端的输出电位能够完整的开关于Vcc至OV之间的范围。图示简单说明图一是一习知之CMOS反相器电路;图二是本发明Bicmos反相器电路之概略图;图三是本发明Bicmos反相器电路另一个实施例;图四所示为图二Bicmos反相器电路开关特性之图形;图五所示为图三Bicmos反相器电路开关特性之图形。
地址 韩国